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离子型忆阻材料与类脑器件

作者:时间:2023-05-13点击数:

时间:2023515日(星期一)10:00-11:30


地点:逸夫楼A212


主讲人:王中强


讲座摘要:忆阻器因其功耗低、密度高等优势,被认为是新一代人工智能重要的硬件基础,在信息存储、类脑模拟、存算一体等领域有着广泛应用。离子型忆阻材料是一类基础性忆阻材料,其中离子动力学过程(迁移、扩散)的随机性是限制器件可靠性和功能化的主要问题。围绕上述问题,报告将介绍研究组在高性能忆阻器研制方面的研究思路与方案:引入界面电场促进导电通道局域化、构筑人工/天然微纳孔道促进导电通道有序化、研制光/电、光/光调制的忆阻突触器件等。忆阻器在材料、信息、人工智能等多学科的交叉合作将能有效推进忆阻器智能器件的发展。


主讲人简介:王中强,东北师范大学物理学院教授,博士生导师;国家高层次青年拔尖人才,吉林省长白山青年拔尖人才,吉林省中青年科技创新团队带头人。2013年博士毕业于东北师范大学,20142016年在意大利米兰理工大学进行博士后研究。长期从事忆阻材料与类脑器件研究,在忆阻器信息存储、类脑器件和神经网络等领域取得了一系列研究成果。近年来,作为第一/通讯作者在Nat. Commun.Adv. Funct. Mater.等国际期刊发表论文60余篇,并担任国际期刊《Frontiers in Neuroscience》的主题编辑。主持国家自然科学基金面上项目及青年项目、吉林省科技厅项目等多项课题,参与多项国家重点研发计划。获得十七届吉林省青年科技奖,作为主要完成人获得2019年国家自然科学奖二等奖(5/5)


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